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导电型a相碳化硅长晶用粉
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简介:导电型a相碳化硅长晶用粉N型氮掺杂低电阻率与高纯度兼备(7N及以上)亚微米至毫米级定制化生产α相碳化硅(4H/6H型)为六方晶系高温相碳化硅,是第三代半导体核心配套粉体材料,分为导电型和半绝缘型。本产
3C型碳化硅长晶用粉
地址:浙江
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简介:3C型碳化硅长晶用粉高纯度(7N及以上)超低浅能级杂质高电阻率与结构稳定性优β相碳化硅(3C型)为立方晶系低温相碳化硅,是第三代半导体核心配套粉体材料。本产品采用自研高温热固法及化学气相沉积法(CVD
半绝缘型a相碳化硅长晶用粉
地址:浙江
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简介:半绝缘型α相碳化硅长晶用粉产品介绍超低浅能级杂质高电阻率与高纯度兼备(7N及以上)亚微米至毫米级定制化生产,α相碳化硅(4H/6H型)为六方晶系高温相碳化硅,是第三代半导体核心配套粉体材料,分为导电型
4H型a相碳化硅粉
地址:浙江
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简介:4H型α相碳化硅粉产品介绍α相碳化硅(4H/6H型)为六方晶系高温相碳化硅,是第三代半导体核心配套粉体材料,分为导电型和半绝缘型。本产品采用自研高温自蔓延合成法及化学气相沉积法(CVD)制备,具备纯度
6H型a相碳化硅粉
地址:浙江
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简介:6H型α相碳化硅粉产品介绍α相碳化硅(6H型)为六方晶系高温相碳化硅,是第三代半导体核心配套粉体材料,分为导电型和半绝缘型。本产品采用自研高温自蔓延合成法及化学气相沉积法(CVD)制备,具备纯度高、粒
312钛碳化硅
地址:河北
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简介:产品参数产品名称:钛碳化硅CAS:12202-82-3分子式:Ti3sic2分子量:196.0产品用途航空航天、国防领域、电动汽车、新型显示器、电催化等领域。产品特点良好导电、导热、高温强度、抗氧化和
纳米氮化硅Si3N4
地址:河北
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简介:纳米氮化硅Si3N4高纯微米氮化硅粉末CAS号:12033-89-5科研实验
纳米碳化硅SiC
地址:河北
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简介:产品参数产品名称:纳米碳化硅CAS号:409-21-2分子量:40.09分子式:Sic密度:3.21(g/cm3)熔点:2700°C产品特点纳米碳化硅通过可变电流激光离子束气相法制备,通过可变电流,高
高纯碳化硅粉
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简介:高纯碳化硅粉(技术跃升)由传统磨料级碳化硅产业绿色转型,依托自产超高纯石墨原料,成功实现高纯纳米级β相与a相5N+碳化硅粉自主研发与稳定量产。该材料纯度≥99.9995%,成为第三代半导体(SiC/G
反应烧结碳化硅辊棒
地址:陕西
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简介:主要特点:碳化硅辊棒具有优异的高温抗弯强度、抗氧化性、抗腐蚀性和较强的耐磨性,长期高温使用不断裂,不弯曲。应用范围:广泛适用于锂电正负极材料、磁性材料、日用陶瓷、建筑陶瓷等生产用辊道窑炉。
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