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GKS系列扩散炉
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简介:应用领域GKS系列扩散炉主要应用于半导体材料的扩散、氧化工艺,同时也用于石英制品的退火、稀有金属粉末和发光材料的煅烧等工艺。设备型号:GKS(D)-09/90/3GKS(D)-18/110/3GKS(
GZL系列中温箱式电阻炉
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简介:应用领域GZL系列中温箱式炉广泛应用于电子元件、磁性材料、粉末冶金等产品的排胶、预烧和烧成工艺,还可用于其它材料的热处理工艺。
简介:产品应用: PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。 产品组成: PECVD系统配置: 1
1200℃双温区CVD系统
地址:天津
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简介: 产品用途: 此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。 产品组成: 此款CVD系统配置: 1.12
简介:产品用途:此款CVD系统是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究,通过滑动炉实现快速加热和冷却。产品组成:CVD系统配置:1.1200度开启式真空管式炉(可
简介:产品用途:此款CVD系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结真空淬火退火,快速降温等工艺实验。产品组成:CVD系统配置:1.120
1200度小型PECVD系统
地址:天津
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简介:产品用途PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。产品组成PECVD系统配置;1.1200度开启式滑
1200℃集成型自动小型PECVD系统
地址:天津
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简介:产品用途PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD系统配置;1.1200度开启式滑动单温区
1200℃滑动双温区/多温区PECVD系统
地址:天津
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简介:产品用途:产品专业性:PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。产品组成:PECVD系统配置:1.1
RTP-滑动式快速退火炉
地址:天津
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简介:RTP-滑动式快速退火炉产品应用:该系列电炉采用红外灯管加热,通过滑动炉体实现快速升降温。应用在半导体、纳米技术、碳纤维、石墨烯生长等新型材料工艺领域。也同样适用于要求升降温速度比较快的气氛烧结、真空
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