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1200度小型PECVD系统
地址:天津
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简介:产品用途PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。产品组成PECVD系统配置;1.1200度开启式滑
简介:产品用途:此款CVD系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结真空淬火退火,快速降温等工艺实验。产品组成:CVD系统配置:1.120
简介:产品用途:此款CVD系统是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究,通过滑动炉实现快速加热和冷却。产品组成:CVD系统配置:1.1200度开启式真空管式炉(可
1200℃双温区CVD系统
地址:天津
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简介: 产品用途: 此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。 产品组成: 此款CVD系统配置: 1.12
简介:产品应用: PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。 产品组成: PECVD系统配置: 1
简介:主要特点一、智能型双温区等离子化学气相沉积系统设备的高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统,控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温,电力调制器控制;负载采用小电压大电流控制,从而大大提
实验炉
地址:湖北
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简介:最高温度:1800℃;设备尺寸根据用户工艺要求进行设计烧结气氛:空气/气氛;适用范围:锂电池材料、电子信息材料等:
双料室气相沉积实验炉
地址:广东
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简介:技术参数:装料罐尺寸2*Φ200X600,装料量0.04M3,工作温度1350℃,极限温度1600℃,真空度0.1-2.5Pa,气氛类别:Ar/N2,总功率90KW,工序时长24H/炉。产品特点:可双
简介:标题:美格正负压气氛高真空高温实验炉小型正负压实验真空炉技术参数:装料罐尺寸300*300*300,装料量0.027M3,工作温度1600℃,极限温度1800℃,温差控制精度3℃,真空度5*10-3p
GZ-JX中试实验炉
地址:陕西
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简介:陕西罡正窑炉科技有限公司的GZ-JX中试实验炉是一款专为企业研发部门和新材料研究所设计的电加热设备,主要用于金属粉末、稀土材料、锂电材料等领域的中试实验。以下是基于公开信息的详细解析:一、核心技术参数
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