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碲化铅 PbTe 合金粉末
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简介:1、产品信息PbTe具有立方钙钛矿晶体结构,是一种直接带隙半导体。其带隙能量在300K下约为0.31eV,对红外波段有很强的吸收性能。PbTe具有优异的热电性能,Seebeck系数和电导率都较高,在一
碲化砷 As2Te3 合金粉末
地址:上海
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简介:1、产品信息晶体结构:碲化砷呈菱方晶系,具有典型的层状结构。电子结构:碲化砷为直接带隙半导体,带隙能量约为0.35eV。热电性能:碲化砷的Seebeck系数较高,热电优值ZT值在300-500K温度区
碲化锑 Sb2Te3 合金粉末
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简介:1、产品信息密度:约6.5-6.8g/cm³,稍低于碲化铜,这是由于锑原子量小于铜的缘故。这种高密度有利于提高材料的热稳定性和机械强度。熔点:约585°C,比纯锑和碲的熔点都高,这是因为化合物结构更加
碲化铜 CuTe
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简介:1、产品信息晶体结构:碲化铜呈现立方晶系的结构,具有复杂的原子排布。物理性质:碲化铜为黑色或暗红色的固体材料,密度为7.2-7.8g/cm³。熔点约为1050°C,热稳定性好,具有较高的耐热性。电导率
碲化亚铜 Cu2Te
地址:上海
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简介:1、产品信息结构和晶型:碲化亚铜(Cu2Te)通常表现为立方晶系的结构。其晶格参数约为6.25Å,具有紧凑的晶体结构。密度:如前所述,碲化亚铜的密度约为6.2g/cm³。这个较高的密度反映了其致密的晶
碲化镓晶体-GaTe
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简介:产品技术参数:产品名称碲化镓晶体-GaTe货号RDB-DJ-093性质半导体纯度>99.995%参数尺寸:>25mm2>35mm2>50mm2应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:>25m
碲化镓 GaTe
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简介:1、产品信息晶体结构:碲化镓呈现六方晶系的结构,属于NaCl型结构。能带结构:碲化镓是一种宽带隙的半导体,室温下的能带宽度约为1.6eV。其为直接带隙半导体。载流子特性:碲化镓具有良好的电子和空穴输运
碲化砷晶体-As2Te3
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简介:产品技术参数:产品名称铋锑碲晶体-Bi1.5Sb0.5Te3货号RDB-DJ-094性质半导体拓扑绝缘体热电材料纯度>99.995%参数尺寸:>25mm2>35mm2>50mm2应用半导体电子器材,热
碲硒化锆晶体-ZrTeSe
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简介:产品技术参数:产品名称碲硒化锆晶体-ZrTeSe货号RDB-DJ-095性质半金属-半导体X值变化纯度>99.995%参数尺寸:>25mm2>35mm2>50mm2应用半导体电子器材,光学器件等研究产
碲化锰 MnTe
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简介:1、产品信息中文名碲化锰外文名manganesetelluride别名皮萨草化学式MnTe分子量182.538CAS登录号12032-88-1更多名称Pisagrass2、产品规格1、样品测试包装客户
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