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二硒化钼晶体-MoSe2

公司：上海研倍新材料科技有限公司

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简介：产品技术参数：产品名称二硒化钼晶体-MoSe2e货号RDB-DJ-006性质半导体晶体带隙单层MoSe2带隙约1.55eV参数尺寸:~5mm-8mm颜色:银灰色应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规

2H-二碲化钼晶体

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简介：产品技术参数：产品名称2H-二碲化钼晶体-2H-MoTe2货号RDB-DJ-007性质半导体晶体带隙块体接间带隙0.8eV，单层直接带隙1.24eV参数尺寸:~5-10mm颜色·黑色应用半导体电子器件

碲化锡 SnTe 合金粉末

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简介：1、产品信息SnTe是一种窄带隙半导体,在室温下带隙能约为0.18eV。它具有优异的光电特性,在红外波段有较高的光吸收系数和光电导性。SnTe还表现出良好的热电性能,可用于热电制冷和发电等应用。此外,

铋锑碲晶体-Bi1.5Sb0.5Te3

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简介：产品技术参数：产品名称铋锑碲晶体-Bi1.5Sb0.5Te3货号RDB-DJ-091性质拓扑绝缘体热电材料纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用热电材料，光学器件等研究

铋锑碲硒晶体- Bi1.5Sb0.5Te2Se

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简介：产品技术参数：产品名称铋锑碲硒晶体-Bi1.5Sb0.5Te2Se货号RDB-DJ-092性质拓扑绝缘体纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用电子器件，光学器件等研究X

碲化锗 GeTe 合金粉末

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简介：1、产品信息Ge2Te3是一种窄带隙半导体,在室温下带隙能约为0.8eV。它具有优异的光学特性,在可见光和近红外波段有较高的光吸收系数。Ge2Te3还表现出良好的热稳定性,在高温下相对稳定,有利于高温

二硫化钨晶体-WS2

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简介：产品技术参数：产品名称二硫化钨晶体-WS2货号RDB-DJ-008性质半导体晶体带隙单层带隙~2.0eV参数尺寸:5-10mm颜色:灰黑色金属光泽应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：面积尺寸&

二硒化钨晶体-WSe2

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简介：产品技术参数：产品名称二硒化钨晶体-WSe2货号RDB-DJ-009性质半导体材料带隙单层带隙1.66eV参数尺寸:5-15mm颜色:银灰色应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：面积尺寸>

碲化锌 ZnTe 合金粉末

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简介：1、产品信息ZnTe是一种直接带隙半导体,在室温下带隙能约为2.26eV。它具有优良的光电特性,在可见光和近红外波段有高吸收系数和较高的光电转换效率。ZnTe还表现出良好的热稳定性和抗氧化性,在高温环

碲化铋 Bi2Te3 合金粉末

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简介：1、产品信息Bi2Te3是一种窄带隙的半导体材料,在室温下带隙能约为0.15eV。它具有很强的热电效应,即Seebeck系数较高,在一定温度范围内热电性能优异。此外,Bi2Te3还表现出各向异性的电学