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高纯锑化镓 GaSxb

公司：上海研倍新材料科技有限公司

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简介：1、产品信息中文名称：锑化镓英文名称：GalliumantimonideCAS号：12064-03-8EINECS号：235-058-8分子式：GaSb分子量：191.48142、产品规格1、样品测试

铌掺杂二硒化钼-Nb0.5%-MoSe2

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简介：产品技术参数：产品名称铌掺杂二硒化钼-Nb0.5%-MoSe2货号RDB-DJ-144性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件

铌掺杂二硒化钨晶体-1%Nb*WSe2

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简介：产品技术参数：产品名称铌掺杂二硒化钨晶体-1%Nb*WSe2货号RDB-DJ-145性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，

黑磷粉末-BP

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简介：近年来，石墨烯材料具有优异的电学性质而备受关注，无质量的狄拉克费米子使其具有高达X2/s的载流子迁移率。但是带隙的缺乏不利于电子器件的应用，因此具有半导体特性的类石墨烯材料成为人们的研究热点黑磷是磷稳

黑磷单晶片

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简介：近年来，石墨烯材料具有优异的电学性质而备受关注，无质量的狄拉克费米子使其具有高达X2/s的载流子迁移率。但是带隙的缺乏不利于电子器件的应用，因此具有半导体特性的类石墨烯材料成为人们的研究热点黑磷是磷稳

铌掺杂二硒化钨晶体-5%Nb*WSe2

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简介：产品技术参数：产品名称铌掺杂二硒化钨晶体-5%Nb*WSe2货号RDB-DJ-147性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞20mm2＞30mm2＞40mm2应用半导体电子器件，

铌掺杂二硒化钨晶体-Nb-WSe2

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简介：产品技术参数：产品名称铌掺杂二硒化钨晶体-Nb-WSe2货号RDB-DJ-148性质半导体保存条件室温密封保存参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：

黑磷晶体 BP 0.5g

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简介：近年来，石墨烯材料具有优异的电学性质而备受关注，无质量的狄拉克费米子使其具有高达X2/s的载流子迁移率。但是带隙的缺乏不利于电子器件的应用，因此具有半导体特性的类石墨烯材料成为人们的研究热点黑磷是磷稳

铌硅碲晶体-Nb2SiTe4

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简介：产品技术参数：产品名称铌硅碲晶体-Nb2SiTe4货号RDB-DJ-149性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：2-4mm-多块/包装应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：

铅铋碲晶体-PbBi4Te7

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简介：产品技术参数：产品名称铅铋碲晶体-PbBi4Te7货号RDB-DJ-150性质拓扑绝缘体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：>25mm2＞35mm2＞50mm2应用新原理纳电子器件