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镓锗碲晶体-GaGeTe

公司：上海研倍新材料科技有限公司

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简介：产品技术参数：产品名称镓锗碲晶体-GaGeTe货号RDB-DJ-127性质高迁移率红外半导体保存条件室温密封保存参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，传感器-探测器，光学器

铼掺杂二硫化钼晶体-Re0.5%MoS2

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简介：产品技术参数：产品名称铼掺杂二硫化钼晶体-Re0.5%MoS2货号RDB-DJ-129性质半导体纯度＞99.995%参数尺寸：＞20mm2＞30mm2＞40mm2保存条件室温真空密封产品规格：>

二硫化钛晶体-TiS2

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简介：产品技术参数：产品名称二硫化钛晶体-TiS2货号RDB-DJ-022性质半金属带隙体块材料0.18eV参数尺寸:~2-3mm颜色:金黄色应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：尺寸≧10mm尺寸≧

铼掺杂二硫化钼晶体-Re1%*MoS2

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简介：产品技术参数：产品名称铼掺杂二硫化钼晶体-Re1%*MoS2货号RDB-DJ-130性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞20mm2＞30mm2＞40mm2应用半导体电子器材，

二硫化钽晶体-2H-TaS2

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简介：产品技术参数：产品名称二硫化钽晶体-2H-TaS2货号RDB-DJ-023性质半金属带隙体块材料0.3eV参数片径:~3-6mm晶体外观:有一定褶皱颜色:银灰色应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规

二硒化钛晶体-TiSe2

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简介：产品技术参数：产品名称二硒化钛晶体-TiSe2货号RDB-DJ-024性质半导体带隙待实验数据参数片径:~6-10mm颜色:铜黑色应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：尺寸≧10mm尺寸≧15m

铼掺杂二硒化钼-Re*MoSe2

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简介：产品技术参数：产品名称铼掺杂二硒化钼-Re*MoSe2货号RDB-DJ-131性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器

铼掺杂二硒化钨-Re*wse2

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简介：产品技术参数：产品名称铼掺杂二硒化钨-Re*wse2货号RDB-DJ-132性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件

磷化硅晶体-SiP

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简介：产品技术参数：产品名称磷化硅晶体-SiP货号RDB-DJ-133性质各向异性半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研

小块黑磷单晶

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简介：近年来，石墨烯材料具有优异的电学性质而备受关注，无质量的狄拉克费米子使其具有高达X2/s的载流子迁移率。但是带隙的缺乏不利于电子器件的应用，因此具有半导体特性的类石墨烯材料成为人们的研究热点黑磷是磷稳