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大尺寸硒化铟晶体InSe
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称硒化铟晶体InSe货号RDB-DJ-003性质半导体晶体晶体结构β-Hexagonalsemiconductor参数晶体尺寸~5mm*5mm~8mm*8mm~10mm*10mm~
P型掺杂硒化镓晶体-P-GaSe
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简介：产品技术参数：产品名称n型掺杂硒化镓晶体货号RDB-DJ-088性质半导体晶体参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：>25mm2>35m
铋碲硫晶体-Bi2Te2S
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简介：产品技术参数：产品名称铋碲硫晶体-Bi2Te2S货号RDB-DJ-089性质拓扑绝缘体纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用电子器件，光学器件等研究产品规格：>2
氯化镓 GaCl3 合金粉末
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简介：1、产品信息GaCl3是一种无色透明的结晶性固体,具有较高的熔点(77°C)和沸点(201°C)。它是一种强路易斯酸,在水中能形成酸性溶液,具有良好的溶解性。GaCl3具有很强的亲电性,易与多种元素和
铋二硒氧五晶体-Bi2SeO5
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称铋二硒氧五晶体-Bi2SeO5货号RDB-DJ-090性质高K介电材料绝缘体纯度＞99.995%参数尺寸：2-5mm应用电子器件，光学器件等研究产品规格：2-5mm扫描电子显微镜
大尺寸碲化铋Bi2Te3晶体
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简介：产品技术参数：产品名称三碲化二铋晶体-BirTe3货号RDB-DJ-004性质半导体晶体参数晶体尺寸:~5mm*5mm~8mm*8mm~10mm*10mm~15mm*12mm应用半导体电子器件，光学器
二硫化钼晶体-MoS2
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简介：产品技术参数：产品名称二硫化钼晶体-MoS2货号RDB-DJ-005性质半导体带隙块体MoS2间接带隙1.2eV,单层MoS2直接带隙1.8eV参数尺寸：~10mm-30mm应用半导体电子器件，光学器
氯化铟 InCl3 合金粉末
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简介：1、产品信息InCl3是一种重要的电子功能材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(586°C)和沸点(603°C),热稳定性较好。InCl3为强极性共价键化合物,在水中易溶解形成酸性溶液。此外,I
二硒化钼晶体-MoSe2
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简介：产品技术参数：产品名称二硒化钼晶体-MoSe2e货号RDB-DJ-006性质半导体晶体带隙单层MoSe2带隙约1.55eV参数尺寸:~5mm-8mm颜色:银灰色应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规
2H-二碲化钼晶体
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简介：产品技术参数：产品名称2H-二碲化钼晶体-2H-MoTe2货号RDB-DJ-007性质半导体晶体带隙块体接间带隙0.8eV，单层直接带隙1.24eV参数尺寸:~5-10mm颜色·黑色应用半导体电子器件
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