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硫化锡 SnS 合金粉末

公司：上海研倍新材料科技有限公司

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简介：1、产品信息SnS是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(888°C)和沸点(1,230°C),热稳定性较好。SnS为离子-共价键复合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性

二硫化锗 GeS2 合金粉末

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简介：1、产品信息GeS2是一种宽带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(1,114°C)和沸点(1,327°C),热稳定性良好。GeS2为离子-共价键复合物,在常温下不溶于水,具有良好的化学

硫化锗 GeS 合金粉末

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简介：1、产品信息GeS是一种间接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(938°C)和沸点(1,244°C),热稳定性较好。GeS为共价键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。此外

硫化锌 ZnS 合金粉末

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简介：1、产品信息ZnS是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(1,823°C)和沸点(2,185°C),热稳定性良好。ZnS为离子键化合物,在常温下不溶于水,具有较好的化学稳定性。

砷化镉 Cd2As3 合金粉末

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简介：1、产品信息砷化镉是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(1,085°C)和沸点(1,564°C),热稳定性较好。砷化镉为离子键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。

砷化铟 InAs 合金粉末

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简介：1、产品信息InAs是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(942°C)和沸点(3,444°C),热稳定性良好。InAs为共价键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。

砷化铝 Al2As3 合金粉末

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简介：1、产品信息砷化铝是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(1,621°C)和沸点(2,970°C),热稳定性良好。砷化铝为共价键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。

天然二硫化钼晶体-MoS2

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简介：产品技术参数：产品名称天然二硫化钼单晶MoS2货号RDB-DJ-001性质半导体晶体带隙块体MoS2间接带隙1.2eV,单层MoS2直接带隙1.8eV参数尺寸：~10mm-30mm应用半导体电子器件，

大尺寸硒化亚锡晶体SnSe

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简介：产品技术参数：产品名称大尺寸硒化亚锡晶体SnSe货号RDB-DJ-002性质半导体晶体载流子浓度(室温)5.0x1017cm-3参数晶体尺寸~5mm*5mm8mm*8mm~10mm*10mm~15mm

n型掺杂硒化镓晶体 n-GaSe

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简介：产品技术参数：产品名称n型掺杂硒化镓晶体货号RDB-DJ-087性质半导体晶体参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：>25mm2>35m