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碲化锗 GeTe 合金粉末
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简介:1、产品信息Ge2Te3是一种窄带隙半导体,在室温下带隙能约为0.8eV。它具有优异的光学特性,在可见光和近红外波段有较高的光吸收系数。Ge2Te3还表现出良好的热稳定性,在高温下相对稳定,有利于高温
二硫化钨晶体-WS2
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简介:产品技术参数:产品名称二硫化钨晶体-WS2货号RDB-DJ-008性质半导体晶体带隙单层带隙~2.0eV参数尺寸:5-10mm颜色:灰黑色金属光泽应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:面积尺寸&
二硒化钨晶体-WSe2
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简介:产品技术参数:产品名称二硒化钨晶体-WSe2货号RDB-DJ-009性质半导体材料带隙单层带隙1.66eV参数尺寸:5-15mm颜色:银灰色应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:面积尺寸>
碲化锌 ZnTe 合金粉末
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简介:1、产品信息ZnTe是一种直接带隙半导体,在室温下带隙能约为2.26eV。它具有优良的光电特性,在可见光和近红外波段有高吸收系数和较高的光电转换效率。ZnTe还表现出良好的热稳定性和抗氧化性,在高温环
碲化铋 Bi2Te3 合金粉末
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简介:1、产品信息Bi2Te3是一种窄带隙的半导体材料,在室温下带隙能约为0.15eV。它具有很强的热电效应,即Seebeck系数较高,在一定温度范围内热电性能优异。此外,Bi2Te3还表现出各向异性的电学
碲化铅 PbTe 合金粉末
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简介:1、产品信息PbTe具有立方钙钛矿晶体结构,是一种直接带隙半导体。其带隙能量在300K下约为0.31eV,对红外波段有很强的吸收性能。PbTe具有优异的热电性能,Seebeck系数和电导率都较高,在一
碲化砷 As2Te3 合金粉末
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简介:1、产品信息晶体结构:碲化砷呈菱方晶系,具有典型的层状结构。电子结构:碲化砷为直接带隙半导体,带隙能量约为0.35eV。热电性能:碲化砷的Seebeck系数较高,热电优值ZT值在300-500K温度区
碲化铜 CuTe
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简介:1、产品信息晶体结构:碲化铜呈现立方晶系的结构,具有复杂的原子排布。物理性质:碲化铜为黑色或暗红色的固体材料,密度为7.2-7.8g/cm³。熔点约为1050°C,热稳定性好,具有较高的耐热性。电导率
碲化亚铜 Cu2Te
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简介:1、产品信息结构和晶型:碲化亚铜(Cu2Te)通常表现为立方晶系的结构。其晶格参数约为6.25Å,具有紧凑的晶体结构。密度:如前所述,碲化亚铜的密度约为6.2g/cm³。这个较高的密度反映了其致密的晶
碲化镓晶体-GaTe
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简介:产品技术参数:产品名称碲化镓晶体-GaTe货号RDB-DJ-093性质半导体纯度>99.995%参数尺寸:>25mm2>35mm2>50mm2应用半导体电子器件,光学器件等研究产品规格:>25m
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