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硫化锌 ZnS 合金粉末

公司：上海研倍新材料科技有限公司

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简介：1、产品信息ZnS是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(1,823°C)和沸点(2,185°C),热稳定性良好。ZnS为离子键化合物,在常温下不溶于水,具有较好的化学稳定性。

砷化镉 Cd2As3 合金粉末

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简介：1、产品信息砷化镉是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(1,085°C)和沸点(1,564°C),热稳定性较好。砷化镉为离子键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。

砷化铟 InAs 合金粉末

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简介：1、产品信息InAs是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(942°C)和沸点(3,444°C),热稳定性良好。InAs为共价键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。

砷化铝 Al2As3 合金粉末

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简介：1、产品信息砷化铝是一种直接带隙半导体材料,在常温下为固体结晶。它具有较高的熔点(1,621°C)和沸点(2,970°C),热稳定性良好。砷化铝为共价键化合物,在常温下不溶于水,具有一定的化学稳定性。

天然二硫化钼晶体-MoS2

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简介：产品技术参数：产品名称天然二硫化钼单晶MoS2货号RDB-DJ-001性质半导体晶体带隙块体MoS2间接带隙1.2eV,单层MoS2直接带隙1.8eV参数尺寸：~10mm-30mm应用半导体电子器件，

大尺寸硒化亚锡晶体SnSe

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简介：产品技术参数：产品名称大尺寸硒化亚锡晶体SnSe货号RDB-DJ-002性质半导体晶体载流子浓度(室温)5.0x1017cm-3参数晶体尺寸~5mm*5mm8mm*8mm~10mm*10mm~15mm

n型掺杂硒化镓晶体 n-GaSe

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简介：产品技术参数：产品名称n型掺杂硒化镓晶体货号RDB-DJ-087性质半导体晶体参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：>25mm2>35m

大尺寸硒化铟晶体InSe

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简介：产品技术参数：产品名称硒化铟晶体InSe货号RDB-DJ-003性质半导体晶体晶体结构β-Hexagonalsemiconductor参数晶体尺寸~5mm*5mm~8mm*8mm~10mm*10mm~

P型掺杂硒化镓晶体-P-GaSe

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简介：产品技术参数：产品名称n型掺杂硒化镓晶体货号RDB-DJ-088性质半导体晶体参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：>25mm2>35m

铋碲硫晶体-Bi2Te2S

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简介：产品技术参数：产品名称铋碲硫晶体-Bi2Te2S货号RDB-DJ-089性质拓扑绝缘体纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用电子器件，光学器件等研究产品规格：>2