技术特点：
● 可加工碳化硅晶锭（**厚度 5000mm）、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片；磨轮直径 Φ300mm，**减薄速率 0.9μm/s, 单片磨削时间＜ 5 分钟；
● 单主轴单工位自动减薄机，在线测量方式（测量范围0-1800μm）/ 离线测量方式（测量范围 0-50000μm）可选；通过手动进行上片、卸片操作和油石手动清洗承片台。
性能指标：
| WG-1230自动减薄机 | |||
| 磨削方式 | 通过旋转晶圆，实现纵向/横向切入式磨削 | ||
| 结构方式 | 1根主轴, 2个承片台 | ||
| 磨削尺寸 | mm | Max.Ø300/Max.Ø200(ø4″-ø12″) | |
| 主轴 | 主轴数量 | - | 1 |
| 主轴功率 | KW | 7.5 | |
| 主轴转速 | rpm | 1000-4000 | |
| Z轴行程 | mm | 120 | |
| Z轴分辨率 | µm | 0.1 | |
| 承片台 | 装片方式 | - | 真空吸附 |
| 承片台类型 | - | 多孔陶瓷式承片台 | |
| 转速 | rpm | 0-300 | |
| 数量 | 套 | 1 | |
| 承片台清洗方式 | - | 油石手动清洗 | |
| 承片台Y向 | Y向加工行程 | mm | 400 |
| Y向进刀速度 | mm/s | 0.01-50 | |
| Y轴快速位移速度 | mm/s | 100 | |
| Y轴*小分辨率 | mm | 0.001 | |
| 设备 | 外形尺寸WxD×H | mm | 860×1847×1741 |
| 设备重量 | kg | 约1700 | |
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