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钟罩式空气烧结炉
地址:广东
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简介:技术参数:外形尺寸(约)L×W×H=3500×1850×2800额定温度1400℃工作温度1350℃仪表控温精度±1℃载台旋转速度0.2-1(rpm)可调炉内气氛空气升温速率(正常)5℃/min(装满
网带式气氛再氧化炉
地址:广东
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简介:适用于高容、高压镍电极片式陶瓷电容器芯片快烧工艺,中在氮气氛下进行再氧化工艺烧结,可以代替日本、韩国进口再氧化炉。技术参数:烧结产品片式电容器高容产品网带宽度850mm最高使用温度1000℃常用温度9
钟罩式氮气氛烧结炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定。技术参数:最高温度1400℃使用温度1350℃使用气氛氮气+氢气炉膛温度均匀性±3.5
网带式氮气氛烧结炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器在氮气氛保护下进行端头烧结,适用于厚膜电路板、电阻在氮气氛保护下进行烧铜。技术参数:最高温度1000°C使用温度950°C炉膛截面均匀度+3°C温区分布15个温区(可订制多种
推板式氢气氛隧道炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定,可以连续大批量生产。技术参数:外形尺寸9800×2600×2200(LxWxH)mm炉
推板式气氛热脱脂炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定,可以连续大批量生产。技术参数:外形尺寸14000×2600×2200(L×W×H)mm
推板式排胶炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定,可以连续大批量生产。技术参数:炉膛尺寸(约)15000×460×240(L×W×H)m
钟罩式快速升温炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定。技术参数:外形尺寸(约)≤L×W×H=3250×4430×3700(mm)最高工作温度
高温箱式炉
地址:广东
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简介:HHXSL系列箱式炉适用于电子元件、电子材料在气氛环境下的高温烧结。适用于大专院校实验室,工矿企业、科研单位进行化学分析、物理测定、陶瓷烧结、金属溶解等热处理。技术参数:炉膛尺寸(mm)400(W)×
排胶箱
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简介:用于多层片式元件生胚的排胶。技术参数:外形尺寸1750×1280×2160(mm)(长×宽×高)内箱尺寸800×850×700(mm)(长×宽×高)风轮转速最高转速1400r/min控温精度±2℃温度
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