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砷化锗晶体-GeAs
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简介：产品技术参数：产品名称砷化锗晶体-GeAs货号RDB-DJ-153性质半导体保存条件真空密封参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：>25mm2
二碲化钼晶体
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简介：产品技术参数:产品名称1T-二碲化钼晶体-1T-MoTe2货号RDB-DJ-035性质金属性/外尔半金属参数尺寸:5-10mm颜色:黑色沸点半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：>25mm2&
钛掺杂二硫化钼晶体-Ti掺杂MoS2
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简介：产品技术参数：产品名称钛掺杂二硫化钼晶体-Ti掺杂MoS2货号RDB-DJ-154性质半导体保存条件室温密封保存参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格
钽铌硫晶体-Ta2NiS5
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简介：产品技术参数：产品名称钽铌硫晶体-Ta2NiS5货号RDB-DJ-158性质半导体保存条件室温密封保存参数尺寸：针状晶体-多块包装应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：针状晶体-多块包装
钽铂碲晶体-TaPtTe5
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称钽铂碲晶体-TaPtTe5货号RDB-DJ-156性质拓扑材料保存条件室温密封保存参数尺寸：2-5mm;多块包装应用无线电和光电行业，催化材料，电化学储能等研究产品规格：2-5m
钽钴碲晶体-TaCo2Te2
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简介：产品技术参数：产品名称钽钴碲晶体-TaCo2Te2货号RDB-DJ-157性质二维磁性材料保存条件室温真空密封参数尺寸：2-5mm;多块包装应用低功耗自旋电子学，磁存储器件的研制等研究产品规格：2-5
钛锗碲晶体-TiGeTe6
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简介：产品技术参数：产品名称钛锗碲晶体-TiGeTe6货号RDB-DJ-155性质近红外半导体保存条件室温密封保存参数尺寸：＞25mm2＞35mm2应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：>25m
钽铌硒晶体-Ta2NiSe5
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称钽铌硒晶体-Ta2NiSe5货号RDB-DJ-159性质半导体保存条件室温密封保存参数尺寸：针状晶体-多块/包装应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：针状晶体-多块/包装X
锑碲硒晶体-Sb2Te2Se
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简介：产品技术参数：产品名称锑碲硒晶体-Sb2Te2Se货号RDB-DJ-160性质拓扑绝缘体保存条件室温密封保存参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用新原理纳电子器件、自旋器件、量子器件、清洁
铁碲硒晶体-FeTeSe
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简介：产品技术参数：产品名称铁碲硒晶体-FeTeSe货号RDB-DJ-161性质超导体保存条件室温密封保存参数尺寸：>25mm2-FeTe0.5Se0.5>35mm2-FeTe0.5Se0.5&
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