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简介:真空成型全纤维快速升温电阻炉以硅钼棒为加热元件,炉膛由全纤维真空成型莫来石纤维制成,额定温度为1650℃,测温元件采用铂铑-铂铑热电偶(B分度号),控温采用TCW-32系列精密数显智能控温仪进行程序控
辊道推板排胶炉
地址:广东
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简介:技术参数:主要机构:耐热保温炉膛、热风循环系统、钢铁炉架传动机构、温控系统、回转机构适用推板规格:340×340×30mm产品码放高度:<190mm<190mm最高温度:400℃±3℃循环
钟罩式空气烧结炉
地址:广东
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简介:技术参数:外形尺寸(约)L×W×H=3500×1850×2800额定温度1400℃工作温度1350℃仪表控温精度±1℃载台旋转速度0.2-1(rpm)可调炉内气氛空气升温速率(正常)5℃/min(装满
网带式气氛再氧化炉
地址:广东
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简介:适用于高容、高压镍电极片式陶瓷电容器芯片快烧工艺,中在氮气氛下进行再氧化工艺烧结,可以代替日本、韩国进口再氧化炉。技术参数:烧结产品片式电容器高容产品网带宽度850mm最高使用温度1000℃常用温度9
钟罩式氮气氛烧结炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定。技术参数:最高温度1400℃使用温度1350℃使用气氛氮气+氢气炉膛温度均匀性±3.5
网带式氮气氛烧结炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器在氮气氛保护下进行端头烧结,适用于厚膜电路板、电阻在氮气氛保护下进行烧铜。技术参数:最高温度1000°C使用温度950°C炉膛截面均匀度+3°C温区分布15个温区(可订制多种
推板式氢气氛隧道炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定,可以连续大批量生产。技术参数:外形尺寸9800×2600×2200(LxWxH)mm炉
推板式气氛热脱脂炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定,可以连续大批量生产。技术参数:外形尺寸14000×2600×2200(L×W×H)mm
推板式排胶炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定,可以连续大批量生产。技术参数:炉膛尺寸(约)15000×460×240(L×W×H)m
钟罩式快速升温炉
地址:广东
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简介:适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结,使芯片介质成为致密的陶瓷,保证产品各种参数、性能稳定。技术参数:外形尺寸(约)≤L×W×H=3250×4430×3700(mm)最高工作温度
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