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双腔室UHV磁控溅射镀膜系统
地址:福建
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简介:双腔室超高真空双磁控测射系统QBT-P磁控溅射技术原理在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后,并不直接飞向阳极,而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近
超高真空双倾角室蒸发设备
地址:福建
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简介:超高真空双倾角室蒸发设备技术参数:1、UHV超高真空腔体:2腔室,负荷锁和蒸发,负荷锁极限真空极限压力<1E-8Torr,可加热RT-900ºC2、蒸发腔:极限真空极限压力<3e-9Tor
超高真空多腔体磁控溅射系统
地址:福建
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简介:超高真空多腔体磁控溅射系统技术参数:基板:可加热至RT-900ºC,可旋转,基板与靶材距离连续可调,晶圆和靶空间可以连续变化极限真空:<3E-9Torr基板传输:高度可靠和可重复的基板传输能力
单腔型高真空蒸镀系统
地址:福建
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简介:单腔型高真空蒸镀系统产品详情:单腔设计,紧凑经济,轻松拥有高质量镀膜系统。技术参数:1极限真空:<2E-7Torr2排气速率:从ATM到3E-6Torr<15min3基板加热:RT-300
双腔型超高真空蒸镀系统
地址:福建
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简介:双腔型超高真空蒸镀系统技术参数:1高真空腔体:2个高真空腔体包括负荷锁及Evaporation,极限真空极限压力<2e-8Torr2排气速率:ATM到3E-7Torr<20分钟(装载锁)3
桌面型原子层沉积系统
地址:福建
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简介:桌面式平片原子层沉积系统原子层沉积(Atomiclayerdeposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术,具有自限性和自饱和。原子层
内外腔型百克级粉体分子层沉积系统
地址:福建
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简介:内外腔型百克级粉体分子层沉积系统技术参数:1样品**装载量:100g(可根据需求定制),也可放置3D基体及多片平片2样品反应温度:RT-300ºC3前驱体:**可包括2组反应气体8组液态或固态反应前驱
公斤级粉末ALD
地址:福建
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简介:公斤级粉末原子层沉积镀膜系统详情介绍:KG系列粉末ALD包覆设备可用于电池、催化剂、磁性材料等材料的高精度包覆量产。该系统能够包覆原子层级到纳米层级的范围内的厚度,具有超高灵敏度、均一性和重复性,并具
层流等离子体实验系统
地址:四川
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简介:层流等离子体实验系统产品介绍:高温层流电弧热等离子体束是一种数控、长束状、超高温、能量高度集中的基础热源,具有广泛的应用:热等离子体基础研究、超高温材料试验、超高声速飞行器试验、电热加工、等离子体化工
双腔体粉末及Wafer等离子体ALD
地址:福建
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简介:双腔体等离子体原子层沉积系统QBT-T原子层沉积(Atomiclayerdeposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术,具有自限性和
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