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三硒化二铋粉末-Bi2Se3
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称三硒化二铋粉末-Bi2Se3货号RDB-FM-115性质拓扑绝缘体保存条件室温真空密封纯度≧99.95%粒径>150μm参数包装量(1-5g）-每克价格包装量(>6g
合成高纯三硒化二镓粉末-Ga2Se3
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称合成高纯三硒化二镓粉末-Ga2Se3货号RDB-FM-116性质半导体粉末保存条件室温真空密封纯度≧99.95%粒径>150μm参数包装量(1-5g）-每克价格包装量(&g
合成三硒化二铟多晶粉末-In2Se3
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简介：产品技术参数：产品名称合成三硒化二铟多晶粉末-In2Se3货号RDB-FM-117性质半导体粉末保存条件真空密封纯度≧99.95%粒径>150μm参数包装量(1-5g）-每克价格包装量(>
三硒化锆粉末-ZrSe3
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简介：产品技术参数：产品名称三硒化锆粉末-ZrSe3货号RDB-FM-118性质半导体粉末保存条件室温真空密封纯度≧99.95%粒径~5-20μm参数包装量(1-5g）-每克价格包装量(>6g）-每克
高纯砷化镓粉末-GaAs
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简介：产品技术参数：产品名称高纯砷化镓粉末-GaAs货号RDB-FM-119性质半导体粉末保存条件室温真空密封纯度≧99.95%粒径>150μm参数包装量(1-5g）-每克价格包装量(>6g）-
砷化铁粉末-FeAS2
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简介：产品技术参数：产品名称砷化铁粉末-FeAS2货号RDB-FM-120性质窄带隙半导体保存条件室温真空密封纯度≧99.95%粒径>150μm参数包装量(1-5g）-每克价格包装量(>6g）-
砷化锗粉末-GeAs
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简介：产品技术参数：产品名称砷化锗粉末-GeAs货号RDB-FM-121性质半导体粉末保存条件室温真空密封纯度≧99.95%粒径~50μm参数包装量(1-5g）-每克价格包装量(>6g）-每克价格产品
四碘化锗粉末-GeI4
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简介：产品技术参数：产品名称四碘化锗粉末-GeI4货号RDB-FM-122保存条件室温真空密封纯度≧99.95%粒径~5-100μm参数包装量(1-5g）-每克价格包装量(>6g）-每克价格产品规格：
钛钒铝碳MAX相陶瓷粉末-TiVAlC
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简介：产品技术参数：产品名称钛钒铝碳MAX相陶瓷粉末-TiVAlC货号RDB-FM-123主要成分TiVAlC烧结方式无压烧结保存条件室温密封保存特点层状结构；高导电性纯度≧99%粒径尺寸：200目、300
钛硅碳MAX相陶瓷粉末-Ti3SiC2
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简介：产品技术参数：产品名称钛硅碳MAX相陶瓷粉末-Ti3SiC2货号RDB-FM-124主要成分Ti3SiC2烧结方式无压烧结保存条件室温密封保存特点层状结构；高导电性纯度≧99%粒径尺寸：200目、30
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