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铋氧硒晶体-Bi2O2Se

公司：上海研倍新材料科技有限公司

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简介：产品技术参数:产品名称铋氧硒晶体-Bi2O2Se货号RDB-DJ-045性质半导体产品规格：>25mm2>35mm2>50mm2铋氧硒晶体-Bi2O2Se照片:XRD:Raman:S

铟锡硒晶体-In0.5Sn0.5Se

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简介：产品技术参数：产品名称铟锡硒晶体-In0.5Sn0.5Se货号RDB-DJ-179包装1块/包装保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：>25mm2>35mm2>50mm2

铟铋晶体-InBi

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简介：产品技术参数：产品名称铟铋晶体-InBi货号RDB-DJ-178性质半金属超导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：>25mm2>35mm2>50mm2应用弱电应用和强

碲晶体-Te

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简介：产品技术参数:产品名称碲晶体-Te货号RDB-DJ-046性质高电子迁移率半导体产品规格：>25mm2>35mm2>50mm2碲晶体-Te照片:XRD:

银钒磷硫晶体-AgVP2S6

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简介：产品技术参数：产品名称银钒磷硫晶体-AgVP2S6货号RDB-DJ-180包装标准包装保存条件室温真空包装纯度＞99.995%参数尺寸：>15mm2>25mm2>35mm2产品规格：

银铬磷硫晶体-AgCrP2S6

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简介：产品技术参数：产品名称银铬磷硫晶体-AgCrP2S6货号RDB-DJ-181包装标准包装保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：>25mm2>35mm2>50mm2产品规格

三硫化二铟晶体-In2S3

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简介：产品技术参数:产品名称三硫化二铟晶体-In2S3货号RDB-DJ-047性质半导体产品规格：>25mm2>35mm2>50mm2三硫化二铟晶体-In2S3照片:晶体截面SEM:晶体X

银铟磷硫晶体-AgInP2S6

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简介：产品技术参数：产品名称银铟磷硫晶体-AgInP2S6货号RDB-DJ-182性质半导体保存条件室温真空保存纯度＞99.995%参数尺寸：1-3mm;多块包装应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：

紫磷晶体-Violet Phosphorus-(VP)

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简介：产品技术参数：产品名称紫磷晶体-VioletPhosphorus-(VP)货号RDB-DJ-184性质半导体晶系单斜空间群P2/n纯度>99.9%参数尺寸：0.2g/包装0.5g/包装1g/包装

锗铋碲晶体-GeBi4Te7

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简介：产品技术参数：产品名称锗铋碲晶体-GeBi4Te7货号RDB-DJ-183保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸:＞25mm2＞35mm2＞50mm2产品规格：>25mm2>35

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