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铼掺杂二硫化钼晶体-Re1%*MoS2
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简介：产品技术参数：产品名称铼掺杂二硫化钼晶体-Re1%*MoS2货号RDB-DJ-130性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞20mm2＞30mm2＞40mm2应用半导体电子器材，
二硫化钽晶体-2H-TaS2
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简介：产品技术参数：产品名称二硫化钽晶体-2H-TaS2货号RDB-DJ-023性质半金属带隙体块材料0.3eV参数片径:~3-6mm晶体外观:有一定褶皱颜色:银灰色应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规
二硒化钛晶体-TiSe2
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简介：产品技术参数：产品名称二硒化钛晶体-TiSe2货号RDB-DJ-024性质半导体带隙待实验数据参数片径:~6-10mm颜色:铜黑色应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：尺寸≧10mm尺寸≧15m
铼掺杂二硒化钼-Re*MoSe2
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简介：产品技术参数：产品名称铼掺杂二硒化钼-Re*MoSe2货号RDB-DJ-131性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器
铼掺杂二硒化钨-Re*wse2
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称铼掺杂二硒化钨-Re*wse2货号RDB-DJ-132性质半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件
磷化硅晶体-SiP
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称磷化硅晶体-SiP货号RDB-DJ-133性质各向异性半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等研
小块黑磷单晶
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简介：近年来，石墨烯材料具有优异的电学性质而备受关注，无质量的狄拉克费米子使其具有高达X2/s的载流子迁移率。但是带隙的缺乏不利于电子器件的应用，因此具有半导体特性的类石墨烯材料成为人们的研究热点黑磷是磷稳
磷化锗晶体-GeP
地址：上海
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简介：产品技术参数：产品名称磷化锗晶体-GeP货号RDB-DJ-134性质半导体保存条件室温真空保存纯度＞99.995%参数尺寸：3-5mm应用半导体电子器件，光学器件等研究产品规格：3-5mmX光微区分析
硫化铋晶体-Bi2S3
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简介：产品技术参数：产品名称硫化铋晶体-Bi2S3货号RDB-DJ-135性质半导体保存条件室温密封保存参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，传感器-探测器，光学器件等研究产品规
硫化亚锡晶体-SnS
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简介：产品技术参数：产品名称硫化亚锡晶体-SnS货号RDB-DJ-136性质间接带隙半导体保存条件室温密封保存纯度＞99.995%参数尺寸：＞25mm2＞35mm2＞50mm2应用半导体电子器件，光学器件等
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