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生长方法:气炼法/合成主要成分:SiO2密度:2.2g/cm^3熔点:1730℃莫氏moh’s硬度:7**安全使用温度(连续):1000-1100℃**安全使用温度(短时间):1300-1400℃耐热急变温度:800-1100℃热膨胀系数CTE:5.4*10^(-7)介电常数(0~10^6Hz):3.7(常温)电导率(S/m):10^(-17)~10^(-16) (20℃ )颜色:透明
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