适用于高容、高压镍电极片式陶瓷电容器芯片快烧工艺，中在氮气氛下进行再氧化工艺烧结，可以代替日本、韩国进口再氧化炉。
技术参数：
烧结产品 | 片式电容器高容产品 |
网带宽度 | 850mm |
**使用温度 | 1000℃ |
常用温度 | 950℃ |
**加热功率 | 约310KW |
保温功率 | 约187KW |
主炉体尺寸 | 13000x2000x2500(LxWxH)mm |
整体外形尺寸 | 约15500x2000x2500(LxWxH)mm |
技术特点：
*炉膛耐火材料采用轻质无机材料和纳米材料砌筑，节能环保，保温性能优于进口同类设备。
*温区温度独立控制，控温精度高，温度均匀性好。
*炉膛进气采用质量流量计和数显转子流量计控制，气氛控制精准，满足工艺需求。
*网带输送平稳，有自动纠偏功能。
*智能自动化控制系统，可存贮30条工艺曲线，配置远程数据采集、监测功能。
*适合大批量生产，满足客户工艺需求，产品质量稳定。
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