适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结，使芯片介质成为致密的陶瓷，保证产品各种参数、性能稳定。
技术参数：
**温度 | 1400℃ |
使用温度 | 1350℃ |
使用气氛 | 氮气+氢气 |
炉膛温度均匀性 | ±3.5℃ |
**功率 | 47.5KW，保温功率:20KW |
加热元件 | 可选硅钼棒或硅碳棒 |
载台可自动旋转 | 旋转速度可调，**转速1转/min |
真空泵 | 炉膛抽真空可达-97KPa |
炉膛尺寸 | 内腔直径φ759mm，高度660mm(有效产品码放高度400mm) |
整机外形尺寸 | 约3250x4430x3700(LxWxH)mm |
技术特点：
*全纤维炉膛结构，节能保温。
*温区温度单独控制，控制精度高，温度均匀性好。
*气氛控制精准、出气均匀、稳定性高，满足不同工艺需求。
*网带输送平稳、经久耐用
*全自动运行系统、操作简单、运行稳定可靠
*适合大批量生产、工艺稳定、确保产品的一致性。
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