产品说明书
本产品含有Gese在异丙醇溶液中的单层和几层厚片。合成了纯度为99.9995%的Gese晶体,并通过超声处理将其分散到异丙醇(纯度为99.9999%的电子级化学品)中。由于原材料(合成GeSe晶体)是高度结晶的,因此超声波处理分层GeSe层产生悬浮在丙酮溶液中的高度结晶的GeSe单层和少数层。Ge se纳米材料的结晶性已通过电子能谱(EDAX)得到证实。拉曼光谱(半高宽<5厘米),以及扫描电子显微镜(SEM)测量。沉积在不同基底上的Ges薄片的横向尺寸从~10nm~10um,厚度从IL到10s层。
解决方案类型:默认情况下,美国2D半导体公司将提供在异丙醇中悬浮的GeSe薄片,因为其良好的分散性、稳定性和高性能。然而,如果您的研究需要其他溶剂,请与我们联系,了解更多细节和产品交付时间表。
溶液浓度:为了降低运输成本,简化海关协议/边检流程,我们运输过饱和的2D溶液(根据2D层类型的不同,约为80-120毫克/升)。然而,可以通过简单且经济高效的自旋铸造工艺稀释过饱和溶液,以产生250-500mL 的溶液,在所需的衬底上沉积2D层。
产品技术参数:
产品名称 | 进口硒化锗纳米片分散液GeSe |
货号 | RDB-FSY-015 |
溶液特性 | 过饱和(~250mg/L)锗硒单层异丙醇溶液。瓶测量2mL,稀释至常规浓度(约25mg/L)的约20mL |
材科性能 | 各向异性半导体 |
品体结构 | 六角形的 |
单元电池参数 | a=0.386纳米,b=0.444纳米,c=1.081纳米,a=B=y-90 |
合成方法 | 超声波剥离合成GeSe晶体液相选择:如果需要,可提供电化学剥离GeSe溶液 |
产品规格:
0.25mg/ml-浓度2ml-IPA
0.025mg/ml-浓度20mlIPA
进口硒化锗纳米片分散液GeSe:
Raman: XRD: