CVD管式炉，气相沉积管式炉

本款CVD管式炉工作温度为300℃至1600℃，配备真空泵，气体混合装置。我们的CVD管式炉采用了先进的温度控制系统，高温精度，出色的气体流量精度，易于操作，出色的隔热效果和温度均匀性。 主要用于大学，研究中心和生产企业进行气相沉积相关的实验与生产。

高温真空管式炉特点

• **温度：
  1200℃（HRE电阻丝加热）
  1400℃ （硅碳棒加热）
  1600℃ （硅钼棒加热）

• 智能化51段可编程自动控制

• 双层风冷结构；炉壳表面温度低于50℃

• 304不锈钢双层密封法兰

• 两端可调节法兰支撑结构，延长炉管使用寿命

• 超温保护功能，当温度超过允许设定值自动断电

• 安全保护当炉体漏电时自动断电

• 升温速率≦20 ℃ /分

• 控温精度±1 ℃

• **真空度-0.08MPa

• 配置分子泵机组，真空度可达7×10^(-3)Pa

CVD管式炉配套设备

多路气体控制柜

质量流量计配气柜

真空管式炉技术规格

Ⅰ. 技术参数
**工作温度	1600℃ (<2小时)
温度仪表	● 人工智能PID仪表，自动控制温度。双向反并联可控硅调压，对电炉温度进行精准控制，并具有限流功能。防止供电电压不稳，电流突然过大引起跳闸，烧损电气元件等。 （我公司采用的可控硅为国际优秀品牌：西门康） ● 51段编程曲线，根据预置程序自动升温、保温、降温。一键完成，无需工人值守。 ● 内置控温参数自整定功能。. ● 具有超温报警，热电偶断裂报警，并自动切断供电电源，提供可靠保护。
控温精度	±1℃
加热速率	0-20℃/分钟
热电偶	B型(双铂铑) ，热电偶保护管为纯度 99.7%的刚玉管
加热元件	高纯硅钼棒
普通真空	-0.08MPa
高真空	7×10^(-3)Pa （分子泵）
配套设配	气体混合控制柜，质子流量计，浮子流量计
炉膛	三层全纤维炉衬，构成整个炉膛 ● **层: 1800型多晶氧化铝陶瓷纤维。保证炉膛足够的强度，又确保具有极好的隔热效果。 ● 第二层: 1430型多晶氧化铝陶瓷纤维。 ● 第三层: 保温棉若干。
炉壳结构	● 高强度碳钢制作而成，酸洗磷化除锈后，静电喷塑，美观大方。 ● 双层风冷炉壳，内置2-4个散热风机，确保炉壳表面温度低于60℃.
产品保修	1. 自验收之日起，高温箱式炉整机免费保修一年。如果设备出现问题，现场进行维修，终身提供技术支持！ 2. 超出保修期后，成本价提供配件。

1200℃ CVD管式炉标准尺寸

1400℃ CVD管式炉标准尺寸

1600℃ CVD管式炉标准尺寸