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双腔型超高真空蒸镀系统
技术参数：
1高真空腔体：2个高真空腔体包括负荷锁及Evaporation,极限真空极限压力<2e-8 Torr
2排气速率：ATM到3E-7 Torr<20分钟(装载锁)
3基板加热：RT-600ºC
4离子束清洗：考夫曼离子源,离子能量100-600 eV， 100-1200eV; 离子束电流：:20-200mA,或100基板刻蚀均一性<3%
5高压电源：6-10千瓦电源，1-6源口袋
6成膜均匀性：<3%（6inch Wafer）
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