一、设备简介
我公司研制的滑轨式PECVD系统能使整个实验腔体都处于辉光产生区，辉光均匀等效，这种技术很好的解决了传统等离子工作不稳定状态，这样离子化的范围和强度是传统PECVD的百倍，并解决了物料不均匀堆积现象。该款设备是全自动Plasma增强CVD系统（PECVD），系统可以实现连续滑动温区，连续可控制温度及Plasma强度。PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：
1、电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。
2、通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单
二、主要基本参数
1、加热系统
使用温度 | 1200℃ |
使用温度 | ≤1100℃ |
炉膛有效尺寸 | Φ50mm |
炉膛材料 | 氧化铝、高温纤维制品 |
热电偶类型 | K型热电偶 |
控温精度 | ±1℃ |
控温方式 | 30段可编程控温，PID参数自整定。 |
加热长度 | 230mm |
恒温长度 | 100mm |
加热原件 | 电阻丝 |
供电电源 | 单相，220V，50Hz |
2、PE系统
功率输出范围 | 0W~150W |
射频输出接口 | 50 Ω, N-type, female |
功率稳定度 | ≤5W |
谐波分量 | ≤-50dbc |
供电电压 | 单相交流（187V-253V） 频率50/60HZ |
整机效率 | >=70% |
功率因素 | >=90% |
冷却方式 | 强制风冷 |
3、三路质子流量控制系统
连接头类型 | 双卡套不锈钢接头 |
标准量程（N2) | 50sccm，100sccm、500sccm （可根据用户要求定制） |
准确度 | ±1.5%F.S |
线性 | ±1%F.S |
重复精度 | ±0.2%F.S |
响应时间 | 气特性：1～4 Sec，电特性：10 Sec |
工作压差范围 | 0.1～0.5 MPa |
压力 | ≤3MPa |
接口 | Φ6,1/4'' |
显示 | 4位数字显示 |
工作环境温度 | 5~45高纯气体 |
压力真空表 | －0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
截止阀 | Φ6 |
内外双抛不锈钢管 | Φ6 |
4、低真空机组
空气相对湿度 | ≤85% |
工作环境 | 5℃～40℃ |
工作电电压 | 220V |
抽气速率 | 10m³/h |
极限真空 | 5X10-1Pa（空载冷态） |
工作压力范围 | 1.01325X105～1.33X10-2Pa |
进气口口径 | KF25 |
排气口口径 | KF25 |
连接方式 | 采用波纹管，手动挡板阀与波纹管相连 |
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