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设备型号: JCP200
真空腔室结构: 立式上开盖结构
真空腔室尺寸: Φ220mm×H300mm
加热温度: 室温~ 500℃
基片台尺寸: Φ100mm
膜厚不均匀性: Φ50mm 范围内≤ ±5.0%
溅射靶: Φ2 英寸磁控靶 1 支 兼容 DC/RF 溅射
工艺气体 :1-2 路气体流量控制
控制方式 :PLC + 触摸屏控制
占地面积 (主机) :L600mm×W800mm×H1700mm
总功率 :≥ 6kW
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