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产品名称
中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钨
英文名称：Single Layer WS2 on SiO2/Si
性质
形态：薄膜
参数
基底：二氧化硅/硅
氧化层：300nm
基底尺寸：9 mmx9 mm
WS2片径大小：20-50 µm
厚度：0.6～0.8 nm
应用
该类材料缺陷少，光学性质优良，层数可控，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。
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