等离子体增强化学气相沉积系统CVD

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多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统（CVD）是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术，主要借助微波或射频的方法将目标气体进行电离，促进化学反应在较低的温度下进行，从而在基片上沉积出所期望的薄膜。

目前项目团队自主研发的CVD设备可在多种衬底上（如金属、氧化物、半导体表面）直接生长以石墨烯为代表的各类新型二维材料，用于新材料、新器件的研发。工艺简单廉价，且具有传统半导体生长工艺的兼容性。

等离子体增强化学气相沉积系统CVD 等离子体增强化学气相沉积系统技术参数

应用案例

CVD应用——Graphene在任意衬底上的无催化生长

CVD应用——外延Graphene/BN异质结与摩尔超晶格

CVD应用——Graphene的各向异性刻蚀技术发展

CVD应用——Graphene的各向异性刻蚀技术发展2

CVD应用——MoS2的原位氧取代掺杂和相变调控

CVD应用——MoS2的原位氧取代掺杂和相变调控2

CVD应用——外延构筑各种MoS2范德华异质结

CVD应用——二/四英寸连续单层MoS2 的取向外延生长

CVD应用——二/四英寸连续单层MoS2 的取向外延生长2