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适用于镍电极片式陶瓷电容器芯片在氮(氢)气氛下进行高温烧结，使芯片介质成为致密的陶瓷，保证产品各种参数、性能稳定。
技术参数：
外形尺寸(约)
≤L×W×H=3250×4430×3700(mm)
**工作温度
1400℃
使用温度
1320℃
控温精度
±1℃
**功率(约)
88KW
具备快速升温功能
要求从500℃到1300℃，升温速率能达到900℃/H以上，且能稳定使用。
载台可自动旋转
旋转速度可调，**转速1转/min
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