碳化硅晶体原料专用高纯4N碳化硅
型号：MG-C009
CAS：409-21-2
产品特性：
1.高纯度（4N,99.99%）、粒径均匀（0.1-1mm，可定制）
2.具有高的禁带宽度，高的临界击穿电场和热导率，小的介电常数和较高的电子饱和迁移率，以及抗辐射能力强，机械性能好等特性，成为制作高频、大功率、低能耗、耐高温和抗辐射器件的电子半导体和光电子器件的理想材料。
主要技术指标：
外观 | 灰黑色颗粒 |
平均粒径D50（mm） | 0.5 |
纯度（%） | ≥99.99 |
晶型(相） | α相 |
Ca (ppm) | 0.05 |
Al (ppm) | 7.1 |
Fe (ppm) | 4.5 |
Mg (ppm) | 2 |
Na (ppm) | 5 |
应用领域：用作碳化硅晶体、碳化硅晶片、碳化硅半导体等的原料。
技术支持：公司提供4N碳化硅在碳化硅晶体、碳化硅晶片、碳化硅半导体等应用技术支持。
包装储存：应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中。
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