半导体表面缺陷观察用飞纳场发射电镜 Phenom Pharos G2

产品简介

Phenom Pharos G2 是飞纳推出的台式场发射扫描电镜，针对半导体、电子材料及微纳器件分析需求设计，可用于芯片表面形貌观察、封装材料检测以及微小缺陷区域分析。

在半导体制造和研发过程中，材料表面状态、微观结构变化以及局部缺陷会影响器件性能。Phenom Pharos G2 可提供高分辨率扫描电镜图像，帮助用户观察晶粒结构、表面形貌、污染颗粒及异常区域，为工艺优化和失效分析提供微观依据。

设备采用肖特基热场发射电子枪，电子光学放大倍数**可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，可满足半导体材料、封装结构及微纳尺度特征的高分辨观察需求。

Phenom Pharos G2 支持低、中、高三种真空模式，配备背散射探测器和二次电子探测器，并可选配能谱探测器，实现样品形貌观察与元素成分分析。台式化设计方便部署于科研实验室、企业研发中心及质量检测部门。

产品特点

1. 高亮度场发射电子源，支持精细结构观察

采用肖特基热场发射电子枪，可提供稳定电子束，用于半导体材料表面细节、微小缺陷及纳米尺度结构的高分辨成像。

2. 高放大倍率，满足微纳缺陷分析需求

电子光学放大倍数**可达 2,000,000 X，分辨率优于 1.5 nm，可用于观察半导体器件表面细微结构及局部异常区域。

3. 加速电压连续调节，适配不同材料分析

支持 1 kV - 20 kV 连续可调，可根据样品类型、观察目标及成像需求选择合适测试条件。

4. 多种真空模式，提高样品兼容性

支持低真空、中真空和高真空三种工作模式，可满足不同半导体材料、封装材料及电子元器件样品的检测需求。

5. 多探测器配置，实现综合分析

标配背散射探测器和二次电子探测器，可选配能谱探测器，用于缺陷形貌观察、材料区分及元素组成分析。

6. 台式设计，适合研发与质量检测

设备结构紧凑，可部署于高校实验室、科研机构、半导体企业研发部门及检测实验室，满足日常分析需求。

应用领域

Phenom Pharos G2 可应用于以下领域：

• 半导体芯片表面缺陷观察

• 集成电路及电子元器件分析

• 封装材料微观结构检测

• 半导体污染物及异物分析

• 电子材料研发

• 器件失效分析

• 工艺质量控制

• 微纳结构研究

技术参数

常见问题

1. Phenom Pharos G2 适合哪些半导体分析场景？

设备适用于半导体材料、芯片表面、封装结构以及电子元器件的微观形貌分析，可用于观察表面缺陷、颗粒污染、材料结构变化等。

2. 是否支持半导体样品元素分析？

支持。设备可选配能谱探测器（EDS），用于对颗粒、污染物、异常区域及局部结构进行元素组成分析。

3. 除半导体外，还可以分析哪些材料？

除半导体材料外，Phenom Pharos G2 还适用于纳米材料、碳材料、催化剂、陶瓷、锂电材料、光伏材料等高分辨形貌观察场景。

4. 产品价格如何确定？

产品价格根据具体配置、探测器组合以及应用需求确定。用户可通过平台询价入口提交样品信息和测试需求，获取相应配置建议。

如需了解 Phenom Pharos G2 在半导体表面缺陷观察中的应用方案、测试案例或设备配置，可通过平台留言提交样品类型与分析需求，获取进一步产品信息。