一、设备简介

该设备为立式碳纳米线制备生长炉，采用多段温度可控的多区生长系统。生长炉**温度可达1400℃，可在0-1400℃范围内连续调节，热场呈垂直分布且支持多段独立控温。设备由三温区立式生长炉与下端水封装置组合而成，上端法兰预留的进气、进液接口可与注射泵及进液装置连接；下端水箱则能确保设备气氛环境的安全稳定。

加热炉与支撑架相互独立、可拆分，便于用户后期调整工艺。炉体部分为全密封腔室，可有效规避刚玉管异常引发的潜在风险。

法兰经特殊优化后采用上端水冷设计，注液口通过法兰端盖接入腔体内部，同时配备铠装热电偶直插炉管；出气端同样采用水冷法兰，其连接的喇叭口伸入水槽，水槽设有观察窗，并配备电动推杆可将喇叭口降至水面以下。水槽截面呈方形，下方装有一块镜面，便于观察出丝情况及取料操作。

炉管下方设有水槽，水槽支撑平台安装有定位块以保证定位精度；水槽内部装有导向杆，无需电机传动，传动杆上设有滑轮，可实现收丝点的精准定位，确保其位于炉管轴向中心。炉内注液口喷嘴温度可测量，并配有热电偶方便实时测温。

二、技术参数