SGN GMSD2000 压电陶瓷管线分散设备为立式三级管线式密闭连续研磨分散一体机,专门针对 PZT、钛酸钡、KNN 无铅压电、BS-PT 高温压电等超细陶瓷粉体湿法制浆痛点定制开发,集成一级粗研磨 + 两级梯度高剪切分散复合结构,一次性完成压电粉体硬团聚破碎、纳米软团聚解离、粉体充分润湿、粘结塑化助剂均匀包覆、浆料均质脱泡全工序处理。
整机采用立式分体结构,研磨腔体垂直直立布置,电机横向侧置不锈钢底座,物料依靠重力自上而下递进细化,流道顺畅无积料死角;全密闭负压管线搭配夹套循环低温控温,可控剪切强度既能打散超细粉体抱团,又不会过度粉碎破坏粉体原始晶相结构,稳定保障压电陶瓷烧结致密度与电学性能。设备可无缝对接流延成型、注浆、丝网印刷自动化产线,覆盖实验室小试、中试放大、规模化量产全场景,是压电陶瓷浆料前置细化专用核心管线装备。
物料经文丘里负压吸料系统密闭连续送入立式腔体,分三段梯度式湿法精细化加工,单次过机即可产出粒径分布窄、长期稳定不分层的压电陶瓷浆料:
一级可调间隙研磨破碎腔锥形研磨齿形成挤压、摩擦复合作用力,快速破碎压电粉体微米级硬质团聚结块,干粉与水 / 乙醇有机溶剂瞬间浸润融合,消除干粉浮团、鱼眼缺陷,解决超细压电粉体预混润湿难、沉降快的问题。
二级缓释中剪切解离腔柔和可控湍流场打散细碎絮团,分散剂、粘结剂、塑化剂均匀包覆粉体颗粒,搭建稳定悬浮基底;低强度剪切设计,避免粉体晶粒过度破碎,保留压电材料原有晶体结构,保障成品压电常数稳定。
三级超细纳米分散腔窄间隙高精度齿形结构释放水力剪切、空化、撞击多重效应,剥离纳米级软团聚,精准收窄粒径区间;腔体配套水冷夹套抑制升温,防止有机粘结剂高温降解、粉体二次团聚,出料浆料流变性能均匀,适配薄型流延、高精度印刷工艺。
设备支持单通道连续出料、储罐闭路循环两种生产模式,适配不同固含量压电陶瓷浆料加工需求。
立式腔体适配高固含陶瓷浆料,不易堵腔易清洗垂直重力流道结构,稳定处理固含量 40%-65% 高粘度压电陶瓷浆料,24 小时连续量产无淤积堵料;定转子模块快拆结构,腔体镜面抛光无清洗死角,溶剂冲洗换料效率大幅提升,适配多配方压电粉体柔性切换生产。
梯度可控剪切,保护压电粉体晶型不被破坏三段式分级分散工艺,先碎大团、再均匀包覆、*后纳米细化,区别传统高剪切设备一刀切式强力破碎,在充分解聚粉体的同时保留完整晶粒形貌,从源头避免烧结后陶瓷孔隙、裂纹、压电性能波动等缺陷。
高纯无析出腔体,杜绝重金属杂质污染标准 316L 镜面不锈钢腔体,可选高纯氧化锆陶瓷定转子,低金属析出、无磁性杂质,避免微量金属离子造成压电陶瓷介电损耗升高、漏电增大,满足医疗超声、5G 传感器、精密致动器高端电子陶瓷生产标准。
单机集成多道工序,缩减产线投入研磨、分散、均质、预混一体化集成,替代传统搅拌预混罐 + 胶体磨两道前置工序,浆料制备周期缩短 60% 以上,减轻后端球磨机研磨负荷,减少车间占地面积与设备采购成本。
工艺线性可放大,研发量产参数完全复刻GMSD2000 全系列机型剪切速率、流量、细化效果线性匹配,实验室小试配方、转速、固含量参数可直接平移至量产设备,无需反复调试浆料,适配无铅压电、高温压电新品快速迭代扩产。
洁净防爆标准化配置,适配多溶剂体系整机标配双端面循环冷却机械密封,可选防爆电机,适配乙醇、有机溶剂密闭生产车间;搭载 PLC 变频调速系统,转速 0~14000rpm 在线可调,可根据 PZT、KNN、钛酸钡不同粉体硬度灵活调节分散强度。
四、主要技术参数
型号 | 标准流量(L/h) | 转速(rpm) | 线速度(m/s) | 马达功率(KW) | 进出口尺寸 |
GMSD2000/4 | 300 | 14000 | 41 | 4 | DN25/DN15 |
GMSD2000/5 | 1500 | 10500 | 41 | 11 | DN50/DN32 |
GMSD2000/10 | 4000 | 7200 | 41 | 22 | DN80/DN65 |
GMSD2000/20 | 10000 | 4900 | 41 | 45 | DN100/DN80 |
GMSD2000/30 | 20000 | 2850 | 41 | 90 | DN150/DN125 |
GMSD2000/50 | 60000 | 1100 | 41 | 160 | DN200/DN150 |