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主要参数 Main Parameters
**温度：2400℃
温度均匀性：≤±5℃
泄露率（空炉、冷态、洁净）：≤1Pa/h
装料空间（卧式）：500*500*1800 mm、1000*1000*5200 mm
应用领域 Application fields
碳化硅陶瓷制品无压烧结和重结晶烧结
IGBT功率半导体、新能源汽车、光伏发电、5G通讯、国防**通领域
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